Changxin Memory Technologies

Changxin Memory Technologies (CXMT) เป็นบริษัทเซมิคอนดักเตอร์สัญชาติจีน มีสำนักงานใหญ่อยู่ในเหอเฟย มณฑลอานฮุย ซึ่งเชี่ยวชาญเฉพาะด้านการผลิตหน่วยความจำ DRAM ก่อตั้งขึ้นในปี 2016 ภายใต้โครงการ National Memory Project ซึ่งเป็นโครงการระดับรัฐเพื่อลดการพึ่งพาซัพพลายเออร์ต่างประเทศ CXMT ดำเนินธุรกิจในฐานะผู้ผลิตอุปกรณ์แบบบูรณาการ (IDM) โดยออกแบบและผลิตชิปของตนเอง บริษัทเริ่มต้นจากการซื้อสิทธิบัตรจาก Qimonda AG ที่เลิกกิจการแล้วผ่านข้อตกลงใบอนุญาตกับ Institute of Microelectronics แห่ง Chinese Academy of Sciences ภายในปี 2019 บริษัทสามารถผลิตจำนวนมากได้ และภายในปี 2020 ก็ผลิตหน่วยความจำ LPDDR4 และ DDR4 ด้วยกระบวนการ 19 นาโนเมตร โดยมีกำลังการผลิต 40,000 เวเฟอร์ต่อเดือน ผลผลิตเวเฟอร์รายไตรมาสสูงถึง 720,000 เวเฟอร์ภายในสิ้นปี 2025 สะท้อนถึงการขยายตัวอย่างรวดเร็ว

กลุ่มผลิตภัณฑ์ของ CXMT ประกอบด้วย LPDDR4/LPDDR4X สำหรับอุปกรณ์เคลื่อนที่ DDR4 และ DDR5 สำหรับพีซีและเซิร์ฟเวอร์ และ DRAM แบบกำหนดเองสำหรับยานยนต์ อุตสาหกรรม และ IoT บริษัทดำเนินการบนโหนด 19nm, 17nm และ 16nm โดยกำลังพัฒนาโหนด 15nm และต่ำกว่า ณ ปี 2025 CXMT มีส่วนแบ่งตลาด DRAM ทั่วโลกประมาณ 2–3% ในแง่ของรายได้ โดยแข่งขันด้วยราคาและความมั่นคงของห่วงโซ่อุปทานเป็นหลักสำหรับผู้ผลิตอุปกรณ์ดั้งเดิม (OEM) ของจีน เช่น Huawei, Xiaomi และ Lenovo คู่แข่งหลักคือ Samsung, SK Hynix และ Micron Technology บริษัทไม่ได้ผลิต NAND flash หรือหน่วยความจำประเภทอื่นๆ

CXMT ถือหุ้นใหญ่โดยรัฐบาลเทศบาลเหอเฟยและกลุ่มกองทุนลงทุนของรัฐจีน บริษัทนำโดยประธานกรรมการและผู้จัดการทั่วไป Zhu Yiming (Simon Zhu) วิศวกรเซมิคอนดักเตอร์มากประสบการณ์ซึ่งเคยทำงานที่ Texas Instruments และเป็นผู้นำในการก่อตั้งบริษัท ทีมผู้บริหารหลักประกอบด้วยผู้บริหารที่มีประสบการณ์จาก Micron, SK Hynix และบริษัทหน่วยความจำระดับโลกอื่นๆ ในปี 2025 CXMT เปิดตัว DDR5 DRAM กลายเป็นบริษัทจีนรายแรกที่ทำได้ และยื่นขอเสนอขายหุ้น IPO ในตลาดหลักทรัพย์ Shanghai STAR Market โดยตั้งเป้ามูลค่า 15–20 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ บริษัทกำลังสร้างโรงงานแห่งที่สามในเหอเฟย โดยตั้งเป้าผลิตเวเฟอร์รายไตรมาสให้ถึง 1 ล้านภายในปี 2027[แก้ไข]